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2016年桂林电子科技大学材料科学基础B考研真题909.doc0页

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2016年桂林电子科技大学材料科学基础B考研真题909.doc第 1 页 共 3 页 桂 林 电 子 科 技 大学 2016 年 硕士 研究生 统 一 入 学 考 试试 题 科目代 码 : 909 科目名 称 :材料科学基础 (B ) 请注意: 答 案必 须写 在答 题纸上 (写 在试 题 上 无效 ) 。答题 纸请 注明 页码 与总 页数。 一、名词解释(任选5 题 作答,每题4 分,共 20 分) 1、 显 微组 织;2 、弗 伦克 尔缺陷 ;3 、螺 型位 错;4 、均匀 形核 ;5 、柯 肯达 尔 效应 ; 6、 非 桥氧 ;7、 烧结 ;8 、 重构相 变;9、 晶格 能 二、 简答题(任选4 题作 答,每题 10 分,共 40 分) 1、 何 为固 溶强 化? 影响 固 溶强化 的因 素有 哪些 ? 2、 什 么是 置换 固溶 体? 形 成无限 固溶 体的 必要 条件 是什么 ? 3、 证 明密 排六 方晶 体结 构(HCP) 的 c/a=1.633 。 4、简述 F-R (弗兰 克- 瑞德)位错 增殖 机制 ,并 予以 图示。 5、KCl 溶入 CaCl 2 中形 成 空位型 固溶 体, 请写 出其 缺陷反 应式 。 6、 试 描述 影响 固相 反应 的 因素有 哪些 ?( 写出 三点 即可) 7、 形成 间隙 性 固 溶体 的条件有哪 些 ? 三、作图分析题(任 选 2 题作答,每题15 分,共 30 分) 1、 在 同一 晶胞 中画 出 立 方 晶系中的 ) 22 1 ( 晶面以 及 ] 221 [ 晶向。 2、 分 析位 错反 应 ] 1 11 [ 2 ] 111 [ 2 ] 010 [ ] 100 [ a a a a ? ? ? 能否发 生 ?(要 求写 出判 断依 据) 3、 根据 Al 2 O 3 -SiO 2 系统 相 图 ( 下图 ) 说明 , 为了 保 持较高 的耐 火度 , 在生 产 硅砖时 应注 意什 么?
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