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2014年桂林电子科技大学材料科学基础B考研真题909.doc第 1 页 共 4 页 桂 林 电子 科 技大 学 2014 年 研究 生 统一 入 学考 试 试 题 科 目代 码：909 科 目 名 称： 材 料科 学基 础（B ） 请注意 ： 答案必 须 写在答题 纸上（ 写 在试题 上 无效 ） 。 （ 各题 标题 字号 为黑 体 五 号字， 题干 字号 为标 准宋 体 五号 字。 ） 一、名词解释（任选6 题 作答，每题5 分，共 30 分） 1、 肖特基缺陷 ； 2 、 显微组织； 3 、螺型位错； 4 、上坡扩散 ； 5 、柯肯达 尔效应 ； 6、 奥氏体；7 、位移相变 ；8 、二次再结晶 二、 简答题（任选4 题作 答，每题 10 分，共 40 分） 1、证明 立方晶系中 具有相 同指数的晶向与晶面 相互 垂直 ，即(h k l) ┴ [h k l] 。 2、什么是细晶强化 ？简述 细晶强化的机理。 3、 什么是置换固溶 体？影 响置换固溶体溶解度 的因 素有哪些？形成无限 固溶 体的 必要条件 是什么？ 4、简述 F-R （弗兰克- 瑞 德）位错增殖机制， 并予 以图示。 5、 下图为某材料的扩散系 数和温度的关系曲线。 说 明(1)、（2）和（3 ） 温区各属于什么扩散？ 6、Al 2 O 3 溶入 MgO 中形成空位型固溶体，试 写出 其缺陷反应式。 三、作图分析题（任 选 2 题作答，每题15 分，共 30 分） 1、 在同一晶胞中画 出 立方 晶系 中的 ) 32 1 ( 晶面以及 ] 123 [ 晶向。 2、 分析位错反应 ] 1 11 [ 3 ] 21 1 [ 6 ] 1 10 [ 2 a a a ? ? 能否发生 ？（要求写出判断依 据） 。 3、 根据 MgO-SiO 2 系统相图 （下图） 说明， 镁质耐 火材 料配料中 MgO 含量为何应 大于 Mg 2 SiO 4 中 MgO 含量？