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2013年桂林电子科技大学材料科学基础A考研真题909.doc第 1 页 共 3 页 桂 林 电子 科 技大 学 2013 年 研究 生 统一 入 学考 试 试 题 （A 卷 ） 科 目代 码：909 科 目 名 称： 材料科 学基 础（B ） 请注意 ： 答案必 须 写在答题 纸上（ 写 在试题 上 无效 ） 。 一、名词解释（ 任选6 题 作答， 每题 5 分，共 30 分） 1、 晶 面间 距 ；2 、肖 特基 缺陷 ；3、 刃型 位错 ；4、 非均匀 形核 ；5 、柯 肯达 尔 效应 ； 6、 莱 氏体 ；7、 桥氧 ；8 、 烧结 二、 简答题（任选 4 题作 答， 每题 10 分，共 40 分） 1、 证 明理 想密 排六 方结 构 晶体的 轴 比 c/a 为 1.633 。 2、 什 么是 细晶 强化 ？简述 细晶强 化的 机理 。 3、 什 么是 置换 固溶 体？ 影 响置换 固溶 体溶 解度 的因 素有哪 些？ 形成 无限 固溶 体的必要条 件是 什么？ 4、简 述 F-R （弗兰 克- 瑞德）位错 增殖 机制 ，并 予以 图示 。 5、NaCl 溶入 CaCl 2 中 形成 空位型 固溶 体， 请写 出其 缺陷反 应式 。 6、 试 描述 固相 烧结 过程 中 三个阶 段的 特点 ？ 三、分析题（ 任选 2 题作 答， 每题 15 分，共 30 分） 1、 在 同一 晶胞 中画 出 立 方 晶系中的 ) 32 1 ( 晶面以 及 ] 123 [ 晶向。 2、 分 析位 错反 应 ] 1 11 [ 3 ] 21 1 [ 6 ] 1 10 [ 2 a a a ? ? 能否发 生 ？（要 求写 出判 断依 据） 。 3、 根据 Al 2 O 3 -SiO 2 系统 相 图 （ 下图 ） 说明 ， 为了 保 持较高 的耐 火度 ， 在生 产 硅砖时 应注 意什 么？