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2013年桂林电子科技大学材料科学基础B考研真题909.doc第 1 页 共 3 页 桂 林 电子 科 技大 学 2013 年 研究 生 统一 入 学考 试 试 题 （B 卷 ） 科 目代 码：909 科 目 名 称： 材料科 学基 础（B ） 请注意 ： 答案必 须 写在答题 纸上（ 写 在试题 上 无效 ） 。 一、名词解释（任选6 题 作答，每题5 分，共 30 分） 1、 布 拉菲 格子 ；2 、 显 微 组织 ；3、 位错 ；4 、 上 坡 扩散 ；5、 均匀 形核 ；6 、 珠光体 ；7 、 位移 相变；8、 二次 再结 晶 二、 简答题（任选4 题作 答，每题 10 分，共 40 分） 1、 请 阐述 为什 么 HCP 不 能称为 一种 空间 点阵 。 2、 何 为固 溶强 化？ 影响 固 溶强化 的因 素有 哪些 ？ 3、 材 料在 凝固 的过 程中 ， 获得细 晶粒 的措 施主 要 有 哪些？ 4、写出 Hall-Petch 公 式， 并说明 公式 中各 字母 的含 义。 5、 下 图 为某 材料 的扩 散系 数和温 度的 关系 曲线 。 说 明(1)、（2 ） 和 （3 ） 温区 各 属于什 么扩 散？ 6、Al 2 O 3 溶入 MgO 中 形成 空位型 固溶 体， 试写 出其 缺陷反 应式 。 三、作图分析题（任 选 2 题作答，每题15 分，共 30 分） 1、 在 同一 晶胞 中画 出 立 方 晶系中的 ) 0 1 1 ( 晶面以 及 ] 2 13 [ 晶向。 2、 分 析位 错反 应 ] 1 11 [ 2 ] 111 [ 2 ] 010 [ ] 100 [ a a a a ? ? ? 能否发 生 ？ （ 要求 写出 判断 依据） 。 3、 根据 MgO-SiO 2 系 统相 图 （ 下 图） 说明， 镁质 耐火 材料配 料 中 MgO 含 量为 何 应大 于 Mg 2 SiO 4 中 MgO 含 量？