2014年桂林电子科技大学材料科学基础A考研真题909.doc0页

2014年桂林电子科技大学材料科学基础A考研真题909.doc第 1 页 共 3 页 桂 林 电子 科 技大 学 2014 年 研究 生 统一 入 学考 试 试 题 科 目代 码：909 科 目 名 称： 材 料科 学基 础（B ） 请注意 ： 答案必 须 写在答题 纸上（ 写 在试题 上 无效 ） 。 （ 各题 标题 字号 为黑 体 五 号字， 题干 字号 为标 准宋 体 五号 字。 ） 一、名词解释（任选6 题 作答，每题5 分，共 30 分） 1、布拉菲格子 ； 2 、弗伦克尔缺陷； 3 、位错； 4 、非均匀形核； 5 、扩散 通量 ； 6、 珠光体; 7 、桥氧；8 、烧结 二、 简答题（任选4 题作 答，每题 10 分，共 40 分） 1、 从结构、缺陷和 物化性 能等方面阐述晶界的 特征 。 2、 何为固溶强化？ 影响固 溶强化的因素有哪些 ？ 3、 材料在凝固的过 程中， 获得细晶粒的措施主 要有 哪些？ 4、写出 Hall-Petch 公式， 并说明公式中各字母 的含 义。 5、NaCl 溶入 CaCl 2 中形成空位型固溶体，请 写出 其缺陷反应式。 6、 试描述固相烧结 过程中 三个阶段的特点？ 三、作图分析题（任 选 2 题作答，每题15 分，共 30 分） 1、 在同一晶胞中画 出 fcc 晶体中的 ) 0 2 1 ( 晶面以及 ] 2 11 [ 晶向。 2、 分析位错反应 ] 1 11 [ 2 ] 111 [ 2 ] 010 [ ] 100 [ a a a a ? ? ? 能否发生 ？ （要求写出判断依据） 。 3、 根据 Al 2 O 3 -SiO 2 系统 相图（下图）说明， 为了 保持较高的耐火度， 在生 产硅砖时应注意 什么？ 4 、 在 Al 2 O 3 陶瓷烧结中， 通常加入 TiO 2 可有效地降 低烧结温度， 并 促进烧结 。 请说明原因？ （提示：从形成缺陷 的角 度考虑） 四、计算题（任选1 题作 答，20 分） 1、 某晶体生长机制 为二维 形核模型时， 如果在固 液 界面形成的晶核为圆 柱形 （如下图所示） ，