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2017年宁波大学半导体物理考博真题3823.pdf宁 波大 学2017 年博 士研 究生 招生 考 试 初试 试题(A 卷) ( 答案必须写在考点提供的答 题纸上) 科目代码: 3823 科目名称： 半导体物理 第 1 页 共 4 页 一、 选 择题 （ 每空 1 分 ，共 30 分） 1. 与 绝缘 体相 比， 半导 体 的价带 电子 激发 到导 带所 需要的 能量 （ ）。 A. 比绝 缘体 的大 B. 比 绝缘体 的小 C. 和 绝缘 体 的相同 2. 受 主杂 质电 离后 向半 导 体提供 （ ） ， 施主 杂质 电离后 向半 导体 提供 （ ） ， 本征 激发 向半 导体提 供（ ）。 A. 电子 和空 穴 B. 空穴 C. 电子 3. 对 于一 定的 N 型半 导体 材料， 在温 度一 定时 ，减 小掺杂 浓度 ，费 米能 级会 （ ）。 A. 上移 B. 下移 C. 不变 4. 在 热平 衡状 态时 ，P 型 半导体 中的 电子 浓度 和空 穴浓度 的乘 积 为 常数 ，它 和（ ）有 关 A. 杂质 浓度 和温 度 B. 温度和 禁带 宽度 C. 杂 质浓 度和 禁带 宽度 D. 杂质 类型 和温 度 5. MIS 结构发 生多 子积 累 时，表 面的 导电 类型 与体 材料的 类型 （ ）。 A. 相同 B. 不同 C. 无关 6. 空 穴是 （ ）。 A. 带 正电 的质 量为 正的 粒 子 B. 带 正电 的质 量为 正 的准粒 子 C. 带 正电 的质 量为 负的 准 粒子 D. 带负 电的 质量 为 负的准 粒子 7. 砷 化稼 的能 带结 构是 （ ）能 隙结 构。 A. 直接 B. 间接 8. 将 Si 掺杂 入 GaAs 中， 若 Si 取代 Ga 则 起 （ ） 杂 质作用，若 Si 取代 As 则 起 （ ） 杂质 作用 。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合 中心 9. 在 热力学 温度 零度 时， 能量 比 E F 小的量子 态被 电子占 据的 概率 为（ ）， 当温度 大于 热力 学 温度零 度时 ，能 量 比 E F 小 的量子 态被 电子 占据 的概 率为（ ）。 A. 大于 1/2 B. 小于 1/2 C. 等于 1/2 D. 等于 1 E. 等于 0 10. 如 图所 示的 P 型 半导 体 MIS 结构 的 C-V 特性 图中 ，AB 段 代表 （ ），CD 段 代表 （ ）。 A. 多子 积累 B. 多子 耗尽 C. 少 子反 型 D. 平带 状态