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2018年宁波大学数字集成电路设计基础考博真题3810.pdf宁 波大 学2018 年博 士研 究生 招生 考试 初试 试题(A 卷) ( 答案必须写在考点提供的答 题纸上) 科目代码: 3810 科目名称： 数字集成电路设计基 础 第 1 页 共 4 页 1. 采用 0.5um CMOS 工艺， λ=0.25um 。 设金 属 1 的方 块电 阻 Rmetal1=0.1Ω/ □ ， 金属 1 与衬 底 之 间平板 电容 （metal1-substrate plate capacitance ）Cmetal1, plate 为 0.06fF/um 2 , 金属 1 与 衬底 之 间边缘 电容 （metal1-substrate fringe capacitance ）C metal1, fringe 为 0.08fF/um 。计算 下图 金 属 1 线 的寄 生电 阻与 寄生 电容。 （10 分） 20 λ 5 λ 5 λ 10 λ 10 λ 图 1.金 属线 2. 图 2 为某逻 辑门 的版 图， 其中 IN1 、IN2 、IN3 与 IN4 分别为 逻辑 门的 输入 ，NMOS 管 的沟 道 长度为 2 λ ， 沟道 宽度为 3λ ，写出 OUT 的 逻辑 表达 式 ，并在 图中 标识 出 NMOS 沟道长 度与 沟 道宽度 的尺 寸。(10 分) VDD GND IN1 IN2 IN3 IN4 OUT 图2. 逻辑 门版 图